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图片信息
FDMD82100图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FDMD82100
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载FDMD82100的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FDMD82100
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:PowerTrench?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):19毫欧 @ 7A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1070pF @ 50V
  • 功率-最大值:1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:12-PowerWDFN
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