FDMS3660S-F121（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：FDMS3660S-F121

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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技术参数详解：

制造商产品型号：FDMS3660S-F121

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench?

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：13A，30A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1765pF @ 15V

功率-最大值：1W

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

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