深圳市南皇电子有限公司长期提供FDN338P_G（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：FDN338P_G制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 1.6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：451pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SuperSOT-3FDN338P_G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
