FGD3N60LSDTM-T（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：FGD3N60LSDTM-T

技术标准参数：INTEGRATED CIRCUIT

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：FGD3N60LSDTM-T

制造商：ON Semiconductor

描述：INTEGRATED CIRCUIT

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：6A

电流-集电极脉冲(Icm)：25A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A

功率-最大值：40W

开关能量：250μJ（开），1mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：12.5nC

25°C时Td（开/关）值：40ns/600ns

测试条件：480V，3A，470 欧姆，10V

反向恢复时间(trr)：234ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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