FGH75T65UPD-F155（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：FGH75T65UPD-F155

技术标准参数：650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：FGH75T65UPD-F155

制造商：ON Semiconductor

描述：650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：不適用於新設計

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：150A

电流-集电极脉冲(Icm)：225A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A

功率-最大值：375W

开关能量：3.68mJ（开），1.6mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：68nC

25°C时Td（开/关）值：42ns/216ns

测试条件：400V，75A，3 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：85ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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