深圳市南皇电子有限公司长期提供FQD11P06TM（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：FQD11P06TM制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.4A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：185 毫欧 @ 4.7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D-PakFQD11P06TM均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
