深圳市南皇电子有限公司长期提供FQD2N60CTM-WS(品牌: ON)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:FQD2N60CTM-WS制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:QFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):1.9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.7 欧姆 @ 950mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):235pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),44W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D-PakFQD2N60CTM-WS均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!