HGT1S7N60C3DS（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：HGT1S7N60C3DS

技术标准参数：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：HGT1S7N60C3DS

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：14A

电流-集电极脉冲(Icm)：56A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A

功率-最大值：60W

开关能量：165μJ（开），600μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：23nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：480V，7A，50欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：37ns

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

HGT1S7N60C3DS均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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