深圳市南皇电子有限公司长期提供HGTD7N60C3S9A（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：HGTD7N60C3S9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 14A TO252AA系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：14A电流-集电极脉冲(Icm)：56A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A功率-最大值：60W开关能量：165μJ（开），600μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：23nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63HGTD7N60C3S9A均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
