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图片信息
ISL9R8120S3ST图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:ISL9R8120S3ST
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • 产品应用分类:二极管 - 整流器 - 单
  • 点击此处下载ISL9R8120S3ST的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:ISL9R8120S3ST
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
  • 系列:二极管 - 整流器 - 单
  • 产品系列:Stealth?
  • 零件状态:停产
  • 二极管类型:标准
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V
  • 电流-平均整流(Io):8A
  • 不同If时电压-正向(Vf):3.3V @ 8A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):300ns
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:100μA @ 1200V
  • 不同?Vr、F时电容:30pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263AB
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