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图片信息
MMBV2109LT1G图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：MMBV2109LT1G
  • 原始制造厂商：ON，ON安森美半导体
  • 技术标准参数：DIODE TUNING SS 30V SOT23
  • 产品应用分类：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
  • 点击此处下载MMBV2109LT1G的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：MMBV2109LT1G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：DIODE TUNING SS 30V SOT23
  • 系列：二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
  • 零件状态：停产
  • 不同?Vr、F时电容：36.3pF @ 4V，1MHz
  • 电容比：3.2
  • 电容比条件：C2/C30
  • 电压-峰值反向（最大值）：30V
  • 二极管类型：单路
  • 不同Vr、F时Q值：200 @ 4V，50MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • MMBV2109LT1G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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