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图片信息
MMBV2109LT1G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:MMBV2109LT1G
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:DIODE TUNING SS 30V SOT23
  • 产品应用分类:二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
  • 点击此处下载MMBV2109LT1G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:MMBV2109LT1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:DIODE TUNING SS 30V SOT23
  • 系列:二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
  • 零件状态:停产
  • 不同?Vr、F时电容:36.3pF @ 4V,1MHz
  • 电容比:3.2
  • 电容比条件:C2/C30
  • 电压-峰值反向(最大值):30V
  • 二极管类型:单路
  • 不同Vr、F时Q值:200 @ 4V,50MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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