深圳市南皇电子有限公司长期提供NDD01N60-1G（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：NDD01N60-1G制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 欧姆 @ 200mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：160pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：46W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKNDD01N60-1G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
