深圳市南皇电子有限公司长期提供NDS356AP（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：NDS356AP制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 1.3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.4nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：280pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SuperSOT-3NDS356AP均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
