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图片信息
NE5517DR2G图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：NE5517DR2G
  • 原始制造厂商：ON，ON安森美半导体
  • 技术标准参数：IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
  • 产品应用分类：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 点击此处下载NE5517DR2G的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：NE5517DR2G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
  • 产品系列：线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 放大器类型：跨导
  • 电路数：2
  • 输出类型：推挽式
  • 压摆率：50V/μs
  • 增益带宽积：2MHz
  • -3db带宽：-
  • 电流-输入偏置：400nA
  • 电压-输入补偿：400μV
  • 电流-供电：2.6mA
  • 电流-输出/通道：500μA
  • 电压-供电，单/双?(±)：4V ~ 44V，±2V ~ 22V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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