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图片信息
NE5534DR2G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NE5534DR2G
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 产品应用分类:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 点击此处下载NE5534DR2G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:NE5534DR2G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 放大器类型:通用
  • 电路数:1
  • 输出类型:-
  • 压摆率:13V/μs
  • 增益带宽积:10MHz
  • -3db带宽:-
  • 电流-输入偏置:500nA
  • 电压-输入补偿:500μV
  • 电流-供电:4mA
  • 电流-输出/通道:38mA
  • 电压-供电,单/双?(±):±3V ~ 20V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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