深圳市南皇电子有限公司长期提供NGB8207BNT4G（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
ON安森美半导体完整型号：NGB8207BNT4G制造厂家名称：ON Semiconductor描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：365V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.6V @ 4V，20A功率 - 最大值：165WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：-25°C 时 Td（开/关）值：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：D2PAKNGB8207BNT4G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
