NGTB20N120IHRWG（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NGTB20N120IHRWG

技术标准参数：IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：NGTB20N120IHRWG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 40A TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：120A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，20A

功率-最大值：384W

开关能量：450μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：225nC

25°C时Td（开/关）值：-/235ns

测试条件：600V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

NGTB20N120IHRWG均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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