深圳市南皇电子有限公司长期提供NGTB30N120LWG（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：NGTB30N120LWG制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 1200V 30A TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A功率-最大值：560W开关能量：4.4mJ（开），1mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：420nC25°C时Td（开/关）值：136ns/360ns测试条件：600V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB30N120LWG均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
