深圳市南皇电子有限公司长期提供NGTD21T65F2WP（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：NGTD21T65F2WP制造商：ON Semiconductor描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：-电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A功率-最大值：-开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：模具NGTD21T65F2WP均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
