NGTD30T120F2WP（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NGTD30T120F2WP

技术标准参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：NGTD30T120F2WP

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：200A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A

功率-最大值：-

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：模具

NGTD30T120F2WP均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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