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图片信息
NTGD4161PT1G图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：NTGD4161PT1G
  • 原始制造厂商：ON，ON安森美半导体
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载NTGD4161PT1G的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：NTGD4161PT1G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.1nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：281pF @ 15V
  • 功率-最大值：600mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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