NTLJF3118NTAG（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NTLJF3118NTAG

技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：NTLJF3118NTAG

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 2.6A 6WDFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：271pF @ 10V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：700mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：6-WDFN（2x2）

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