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图片信息
NXH350N100H4Q2F2P1G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NXH350N100H4Q2F2P1G
  • 原始制造厂商:ON,ON安森美半导体
  • 技术标准参数:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 产品应用分类:晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处下载NXH350N100H4Q2F2P1G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:NXH350N100H4Q2F2P1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:三级反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):1000V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):303A
  • 功率-最大值:276W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
  • 电流-集电极截止(最大值):1mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):24.146nF @ 20V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
  • NXH350N100H4Q2F2P1G均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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