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图片信息
2SK3372GRL图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:2SK3372GRL
  • 原始制造厂商:Panasonic,松下半导体
  • 技术标准参数:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
  • 产品应用分类:JFET结点场效应
  • 点击此处下载2SK3372GRL的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号: 2SK3372GRL
  • 制造厂家名称: Panasonic Electronic Components(松下半导体)
  • 功能总体简述: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3
  • 系列: -
  • FET 类型: N 沟道
  • 电压 - 击穿(V(BR)GSS): -
  • 漏源极电压(Vdss): 20V
  • 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 107μA @ 2V
  • 漏极电流(Id) - 最大值: 2mA
  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): -
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
  • 电阻 - RDS(开): -
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: SOT-723
  • 供应商器件封装: SSS迷你型3-F2
  • 功率 - 最大值: 100mW
  • 2SK3372GRL均从松下半导体代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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