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图片信息
BSM400D12P2G003图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BSM400D12P2G003
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载BSM400D12P2G003的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:BSM400D12P2G003
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:碳化硅(SiC)
  • 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):400A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 85mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):38000pF @ 10V
  • 功率-最大值:2450W(Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:-
  • 封装:模块
  • BSM400D12P2G003均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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