DTA114YUAT106（ROHM）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：DTA114YUAT106

原始制造厂商：ROHM，罗姆

技术标准参数：TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

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技术参数详解：

制造商产品型号：DTA114YUAT106

制造商：Rohm Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

零件状态：不適用於新設計

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：10 kOhms

电阻器-发射极(R2)：47 kOhms

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

频率-跃迁：250MHz

功率-最大值：200mW

安装类型：表面贴装型

封装：SC-70，SOT-323

DTA114YUAT106均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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