深圳市南皇电子有限公司长期提供RD3G600GNTL（品牌: ROHM）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：RD3G600GNTL制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 40V 60A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 60A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：46.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3400pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：40W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252RD3G600GNTL均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
