深圳市南皇电子有限公司长期提供RGT8NS65DGC9（品牌: ROHM）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：RGT8NS65DGC9制造商：Rohm Semiconductor描述：IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：8A电流-集电极脉冲(Icm)：12A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A功率-最大值：65W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：13.5nC25°C时Td（开/关）值：17ns/69ns测试条件：400V，4A，50欧姆，15V反向恢复时间(trr)：40ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AARGT8NS65DGC9均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
