RGTH60TK65DGC11（ROHM）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：RGTH60TK65DGC11

原始制造厂商：ROHM，罗姆

技术标准参数：IGBT

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载RGTH60TK65DGC11的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：RGTH60TK65DGC11

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：28A

电流-集电极脉冲(Icm)：120A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A

功率-最大值：61W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：58nC

25°C时Td（开/关）值：27ns/105ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：58ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3PFM，SC-93-3

RGTH60TK65DGC11均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

ROHM

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