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图片信息
SH8M51GZETB图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SH8M51GZETB
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SH8M51GZETB的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SH8M51GZETB
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta),2.5A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 3A,10V,290 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.5nC,12.5nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):610pF,1550pF @ 25V
  • 功率-最大值:1.4W(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • SH8M51GZETB均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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