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图片信息
SH8MA3TB1图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SH8MA3TB1
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SH8MA3TB1的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SH8MA3TB1
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Ta),6A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28mOhm @ 7A,10V,50mOhm @ 6A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.2nC,10nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):300pF,480pF @ 15V
  • 功率-最大值:2W(Ta)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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