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图片信息
SP8M21FRATB图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SP8M21FRATB
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载SP8M21FRATB的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SP8M21FRATB
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):45V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta),4A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 6A,10V,46 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21.6nC @ 5V,28nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 10V,2400pF @ 10V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • SP8M21FRATB均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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