NE3517S03-T1C-A（Renesas）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NE3517S03-T1C-A

原始制造厂商：Renesas，瑞萨电子

技术标准参数：DISCRETE RF FET

产品应用分类：RF FET

点击此处下载NE3517S03-T1C-A的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

Renesas瑞萨完整型号: NE3517S03-T1C-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: DISCRETE RF FET

系列: -

晶体管类型: HFET

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 20GHz

增益: 13.5dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 2V

额定电流: 15mA

功率 - 最大值: -

噪声系数: 0.7dB

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 10mA

功率 - 输出: -

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 4V

封装/外壳: 4-SMD，扁平引线

供应商器件封装:

NE3517S03-T1C-A均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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