NP36P04KDG-E1-AY（Renesas）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NP36P04KDG-E1-AY

原始制造厂商：Renesas，瑞萨电子

技术标准参数：MOSFET P-CH 40V 36A TO263

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载NP36P04KDG-E1-AY的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：NP36P04KDG-E1-AY

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：MOSFET P-CH 40V 36A TO263

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 18A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2800pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），56W（Tc）

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TO-263

NP36P04KDG-E1-AY均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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