深圳市南皇电子有限公司长期提供NP36P06KDG-E1-AY（品牌: Renesas）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：NP36P06KDG-E1-AY制造商：Renesas Electronics America Inc描述：MOSFET P-CH 60V 36A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：29.5 毫欧 @ 18A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），56W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263NP36P06KDG-E1-AY均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
