RJH65T14DPQ-A0#T0（Renesas）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：RJH65T14DPQ-A0#T0

原始制造厂商：Renesas，瑞萨电子

技术标准参数：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载RJH65T14DPQ-A0#T0的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：RJH65T14DPQ-A0#T0

制造商：Renesas Electronics America Inc

描述：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟道

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：100A

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，50A

功率-最大值：250W

开关能量：1.3mJ（开），1.2mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：80nC

25°C时Td（开/关）值：38ns/125ns

测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：250ns

工作温度：175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

RJH65T14DPQ-A0#T0均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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