L6747CTR（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：L6747CTR

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN

产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器

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技术参数详解：

制造商产品型号：L6747CTR

制造商：STMicroelectronics

描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN

产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）

系列：-

零件状态：停产

驱动配置：半桥

通道类型：同步

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压-供电：5V ~ 12V

逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2V

电流-峰值输出（灌入，拉出）：3.5A，-

输入类型：非反相

高压侧电压-最大值（自举）：41V

上升/下降时间（典型值）：-

工作温度：0°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

产品封装：8-VFDFN

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