MJD112T4（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：MJD112T4

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：MJD112T4

制造商：STMicroelectronics

描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

产品系列：-

零件状态：有源

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流-集电极(Ic)（最大值）：2A

电压-集射极击穿（最大值）：100V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A

电流-集电极截止（最大值）：20μA

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V

功率-最大值：20W

频率-跃迁：25MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

MJD112T4均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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