NAND512R3A2AZA6E（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：NAND512R3A2AZA6E

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA

产品应用分类：存储器

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技术参数详解：

制造商产品型号：NAND512R3A2AZA6E

制造商：STMicroelectronics

描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA

产品系列：存储器

包装：托盘

系列：-

零件状态：停产

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：闪存 - NAND

存储容量：512Mb（64M x 8）

存储器接口：并联

时钟频率：-

写周期时间-字，页：60ns

访问时间：60ns

电压-供电：1.7V ~ 1.95V

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装型

产品封装：55-TFBGA

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