PD20010-E（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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PD20010-E - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，ST代理稳定货源。

图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：PD20010-E

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 射频

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技术参数详解：

制造商产品型号：PD20010-E

制造商：STMicroelectronics

描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频

零件状态：有源

晶体管类型：LDMOS

频率：2GHz

增益：11dB

电压-测试：13.6V

额定电流（安培）：5A

噪声系数：-

电流-测试：150mA

功率-输出：10W

电压-额定：40V

封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）

PD20010-E均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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