深圳市南皇电子有限公司长期提供SCT30N120（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SCT30N120制造商：STMicroelectronics描述：SICFET N-CH 1200V 40A HIP247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA（标准）不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：105nC @ 20VVgs（最大值）：+25V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：270W（Tc）工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：HiP247?SCT30N120均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
