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图片信息
SCTW100N65G2AG图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SCTW100N65G2AG
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载SCTW100N65G2AG的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SCTW100N65G2AG
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 50A,18V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):162nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+22V,-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3315pF @ 520V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):420W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:HiP247?
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