STFW20N65M5（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STFW20N65M5

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：STFW20N65M5

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：MDmesh? M5

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 9A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1434pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：48W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：ISOWATT-218FX

STFW20N65M5均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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