STG3P2M10N60B（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STG3P2M10N60B

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

产品应用分类：晶体管 - IGBT - 模块

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技术参数详解：

制造商产品型号：STG3P2M10N60B

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

系列：晶体管 - IGBT - 模块

零件状态：停产

IGBT类型：-

配置：三相反相器

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：19A

功率-最大值：56W

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A

电流-集电极截止（最大值）：10μA

不同?Vce时输入电容(Cies)：0.72nF @ 25V

输入：单相桥式整流器

NTC热敏电阻：无

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装：SEMITOP?2

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