深圳市南皇电子有限公司长期提供STGB19NC60KDT4（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STGB19NC60KDT4制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 35A 125W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：35A电流-集电极脉冲(Icm)：75A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A功率-最大值：125W开关能量：165μJ（开），255μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：55nC25°C时Td（开/关）值：30ns/105ns测试条件：480V，12A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：31ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB19NC60KDT4均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
