深圳市南皇电子有限公司长期提供STGB20M65DF2（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STGB20M65DF2制造商：STMicroelectronics描述：IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：M零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A功率-最大值：166W开关能量：140μJ（开），560μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：63nC25°C时Td（开/关）值：26ns/108ns测试条件：400V，20A，12 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：166ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB20M65DF2均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
