STGB30H65DFB2（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGB30H65DFB2

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGB30H65DFB2

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：HB2

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：50A

电流-集电极脉冲(Icm)：90A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A

功率-最大值：167W

开关能量：270μJ（开），310μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：90nC

25°C时Td（开/关）值：18.4ns/71ns

测试条件：400V，30A，6.8 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：115ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

STGB30H65DFB2均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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