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图片信息
STGB6NC60HD-1图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:STGB6NC60HD-1
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:IGBT 600V 15A 56W I2PAK
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载STGB6NC60HD-1的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:STGB6NC60HD-1
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):21A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:56W
  • 开关能量:20μJ(开),68μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:13.6nC
  • 25°C时Td(开/关)值:12ns/76ns
  • 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):21ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
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