STGB7NB60HDT4（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGB7NB60HDT4

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IGBT 600V 14A 80W D2PAK

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGB7NB60HDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 14A 80W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：14A

电流-集电极脉冲(Icm)：56A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，7A

功率-最大值：80W

开关能量：85μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：42nC

25°C时Td（开/关）值：15ns/75ns

测试条件：480V，7A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：100ns

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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