STGD25N40LZAG（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGD25N40LZAG

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：POWER TRANSISTORS

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGD25N40LZAG

制造商：STMicroelectronics

描述：POWER TRANSISTORS

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：435V

电流-集电极(Ic)（最大值）：25A

电流-集电极脉冲(Icm)：50A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.25V @ 4V，6A

功率-最大值：125W

开关能量：-

输入类型：逻辑

栅极电荷：26nC

25°C时Td（开/关）值：1.1μs/4.6μs

测试条件：300V，10A，1 千欧，5V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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